多項(xiàng)選擇題金屬薄膜制備中常見的濺射方式有()
A.直流濺射
B.射頻濺射
C.磁控濺射
D.準(zhǔn)直濺射
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1.多項(xiàng)選擇題鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是()
A.陽極短路
B.陽極斷路
C.陰極短路
D.陰極斷路
2.多項(xiàng)選擇題影響顯影工藝的因素有()。
A.曝光度
B.顯影液濃度
C.顯影方法
D.工序的溫度和時(shí)間容量
3.多項(xiàng)選擇題下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟?()
A.脫水烘烤
B.旋轉(zhuǎn)涂布法涂HMDS
C.氣拍涂底法涂HDMS
D.軟烘
4.多項(xiàng)選擇題根據(jù)曝光模式,光制機(jī)的種類分為()。
A.接觸式曝光
B.接近式曝光
C.掃描式曝光
D.投影式曝光
5.多項(xiàng)選擇題刻蝕的過程中,對刻蝕的要求是()
A.圖形的保真度高
B.選擇比越接近1:1越好
C.均勻性好
D.晶圓表面的潔凈
最新試題
兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn),又有可接受的選擇比的刻蝕方法是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
在顯影過程中,對于正性抗蝕劑,顯影液的使用要求是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟?()
題型:多項(xiàng)選擇題
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃,二氧化硅的厚度為4000塊,如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后,厚度變?yōu)?400埃,那么這個(gè)過程中刻蝕速率是()埃/分鐘。
題型:單項(xiàng)選擇題
分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù),在檢驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時(shí),判斷其造成原因有()
題型:多項(xiàng)選擇題
回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有()
題型:多項(xiàng)選擇題
傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有()
題型:多項(xiàng)選擇題
離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中,采用的掃描方式有()
題型:多項(xiàng)選擇題
環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性,通常將環(huán)境溫度設(shè)定于()。
題型:單項(xiàng)選擇題
()可以通過帶電粒子在盛場作用下做運(yùn)動(dòng)把粒子進(jìn)行篩選,挑選出唯一需要注入的離子。
題型:單項(xiàng)選擇題