單項選擇題為了防止抽氣設(shè)備對離子注入系統(tǒng)的油污染，可在靶室前增加一個（）或采用無油泵。
A.液氮冷阱
B.凈化阱
C.抽氣阱
D.無氣泵
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1.單項選擇題離子源的基本結(jié)構(gòu)是由產(chǎn)生高密度等離子體的（）和引出部分組成。
A.電極
B.分析器
C.加速器
D.腔體
2.單項選擇題在磁分析器中常用（）分析磁鐵。
A.柱形
B.扇形
C.方形
D.圓形
3.單項選擇題為了解決中性束對注入均勻性的影響，可在系統(tǒng)中設(shè)有（），使離子束偏轉(zhuǎn)后再達(dá)到靶室。
A.磁分析器
B.正交電磁場分析器
C.靜電偏轉(zhuǎn)電極
D.束流分析儀
4.單項選擇題靜電偏轉(zhuǎn)電極和靜電掃描器都是（）電容器。
A.片狀
B.針尖狀
C.圓筒狀
D.平行板
5.單項選擇題離子束垂直進(jìn)入均勻的正交磁場后，將同時受到電場力和（）的作用。
A.洛侖茲力
B.反向的電場力
C.庫侖力
D.重力
最新試題
在離子注入完成后，檢驗到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問題有（）
題型：多項選擇題
刻蝕氮化硅薄膜時，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時的溫度一般設(shè)置在（）
題型：單項選擇題
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
題型：單項選擇題
傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（）
題型：多項選擇題
刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）
題型：多項選擇題
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。
題型：單項選擇題
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項選擇題
利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）
題型：單項選擇題
光刻膠對人部分可見光敏感，但對（）光不敏感。
題型：單項選擇題
通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于（）
題型：單項選擇題