單項選擇題如果固體中的原子排列情況是紊亂的，就稱之為（）。
A.單晶靶
B.超晶靶
C.多晶靶
D.非晶靶
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1.單項選擇題在靶片前方設(shè)一抑制柵，作用是將（）抑制回去，從而保證測量的準確性。
A.二次電子
B.二次中子
C.二次質(zhì)子
D.無序離子
2.單項選擇題一般用（）測量注入的劑量。
A.劑量分布儀
B.劑量統(tǒng)計儀
C.電荷分析儀
D.電荷積分儀
3.單項選擇題在實際工作中，常常需要知道離子注入層內(nèi)損傷量按（）的分布情況。
A.長度
B.深度
C.寬度
D.表面平整度
4.單項選擇題降低靶的溫度，有利于非晶層的形成，所以臨界注入量隨之（）。
A.增大
B.減小
C.不變
D.變?yōu)?
5.單項選擇題晶體中，每個原子在晶格中有一定的平衡位置，原子在此位置時其勢能為（）。
A.極大值
B.極小值
C.既不極大也不極小
D.小于動能
最新試題
電子束蒸發(fā)中有一個特殊的部件是（）
題型：單項選擇題
利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）
題型：單項選擇題
以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）
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最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項選擇題
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
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題型：單項選擇題
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通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于（）
題型：單項選擇題
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題型：問答題
刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）
題型：多項選擇題