多項選擇題按曝光的光源分類，曝光可以分為（）。

A.光學曝光
B.離子束曝光
C.接近式曝光
D.電子束曝光
E.投影式曝光


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1.單項選擇題在VLSI工藝中，常用的前烘方法是（）。

A.熱空氣對流法
B.真空熱平板傳導法
C.紅外線輻射法
D.射頻感應加熱法

3.多項選擇題涂膠之前，要保證晶片的質量以及涂膠工序的順利進行，下列操作正確的是（）。

A.進行去水烘烤以保證晶片干燥
B.在晶片表面涂上增粘劑以保證晶片黏附性好
C.剛剛處理好的晶片應立即涂膠
D.貯存的晶片在涂膠前必須再次清洗及干燥
E.也可以直接使用貯存的晶片

4.單項選擇題光刻工藝中，脫水烘焙的最初溫度是（）。

A.150－200℃
B.200℃左右
C.250℃左右
D.300℃左右

5.多項選擇題在深紫外曝光中，需要使用CA光刻膠，它的優(yōu)點在于（）。

A.CA光刻膠對深紫外光吸收小
B.CA光刻膠將吸收的光子能量發(fā)生化學轉化
C.CA光刻膠在顯影液中的可溶性強
D.有較高的光敏度
E.有較高的對比度