多項(xiàng)選擇題下列有關(guān)曝光系統(tǒng)的說(shuō)法正確的是（）。

A.投影式同接觸式相比，掩模版的利用率比較高
B.接觸式的分辨率優(yōu)于接近式
C.接近式的分辨率受到衍射的影響
D.投影式曝光系統(tǒng)中不會(huì)產(chǎn)生衍射現(xiàn)象
E.投影式曝光是目前采用的主要曝光系統(tǒng)


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1.多項(xiàng)選擇題按曝光的光源分類，曝光可以分為（）。

A.光學(xué)曝光
B.離子束曝光
C.接近式曝光
D.電子束曝光
E.投影式曝光

2.單項(xiàng)選擇題在VLSI工藝中，常用的前烘方法是（）。

A.熱空氣對(duì)流法
B.真空熱平板傳導(dǎo)法
C.紅外線輻射法
D.射頻感應(yīng)加熱法

4.多項(xiàng)選擇題涂膠之前，要保證晶片的質(zhì)量以及涂膠工序的順利進(jìn)行，下列操作正確的是（）。

A.進(jìn)行去水烘烤以保證晶片干燥
B.在晶片表面涂上增粘劑以保證晶片黏附性好
C.剛剛處理好的晶片應(yīng)立即涂膠
D.貯存的晶片在涂膠前必須再次清洗及干燥
E.也可以直接使用貯存的晶片

5.單項(xiàng)選擇題光刻工藝中，脫水烘焙的最初溫度是（）。

A.150－200℃
B.200℃左右
C.250℃左右
D.300℃左右