單項(xiàng)選擇題在VLSI工藝中，常用的前烘方法是（）。
A.熱空氣對流法
B.真空熱平板傳導(dǎo)法
C.紅外線輻射法
D.射頻感應(yīng)加熱法
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1.單項(xiàng)選擇題涂膠以后的晶片，需要在一定的溫度下進(jìn)行烘烤，這一步驟稱為（）。
A.后烘
B.去水烘烤
C.軟烤
D.烘烤
2.多項(xiàng)選擇題涂膠之前，要保證晶片的質(zhì)量以及涂膠工序的順利進(jìn)行，下列操作正確的是（）。
A.進(jìn)行去水烘烤以保證晶片干燥
B.在晶片表面涂上增粘劑以保證晶片黏附性好
C.剛剛處理好的晶片應(yīng)立即涂膠
D.貯存的晶片在涂膠前必須再次清洗及干燥
E.也可以直接使用貯存的晶片
3.單項(xiàng)選擇題光刻工藝中，脫水烘焙的最初溫度是（）。
A.150－200℃
B.200℃左右
C.250℃左右
D.300℃左右
4.多項(xiàng)選擇題在深紫外曝光中，需要使用CA光刻膠，它的優(yōu)點(diǎn)在于（）。
A.CA光刻膠對深紫外光吸收小
B.CA光刻膠將吸收的光子能量發(fā)生化學(xué)轉(zhuǎn)化
C.CA光刻膠在顯影液中的可溶性強(qiáng)
D.有較高的光敏度
E.有較高的對比度
5.單項(xiàng)選擇題在深紫外曝光中，需要使用（）光刻膠。
A.DQN
B.CA
C.ARC
D.PMMA
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