A.進行去水烘烤以保證晶片干燥
B.在晶片表面涂上增粘劑以保證晶片黏附性好
C.剛剛處理好的晶片應(yīng)立即涂膠
D.貯存的晶片在涂膠前必須再次清洗及干燥
E.也可以直接使用貯存的晶片
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A.150-200℃
B.200℃左右
C.250℃左右
D.300℃左右
A.CA光刻膠對深紫外光吸收小
B.CA光刻膠將吸收的光子能量發(fā)生化學轉(zhuǎn)化
C.CA光刻膠在顯影液中的可溶性強
D.有較高的光敏度
E.有較高的對比度
A.DQN
B.CA
C.ARC
D.PMMA
A.化學增強
B.化學減弱
C.厚度增加
D.厚度減少
A.正膠在顯影時不會發(fā)生膨脹,因此分辨率高于負膠
B.正膠的感光區(qū)域在顯影時不溶解,負膠的感光區(qū)域在顯影時溶解
C.負膠在顯影時不會發(fā)生膨脹,因此分辨率不會降低
D.正膠的感光區(qū)域在顯影時易溶解,負膠的感光區(qū)域在顯影時難溶解
E.負膠在顯影時會發(fā)生膨脹,導(dǎo)致了分辨率的降低
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