兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn)，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。

下列可能造成離子源沾污的因素是（）

堅(jiān)膜烘焙在加熱平板上進(jìn)行，溫度控制在（）。

分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時(shí)，判斷其造成原因有（）

鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是（）

通過(guò)分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來(lái)判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測(cè)方法是（）

根據(jù)曝光模式，光制機(jī)的種類分為（）。

回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有（）

以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）

在離子注入完成后，檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問(wèn)題有（）