單項(xiàng)選擇題干氧氧化法有一些優(yōu)點(diǎn)，但同時(shí)它的缺點(diǎn)有（）。
A.生長(zhǎng)出的二氧化硅中引入很多可動(dòng)離子
B.氧化的速度慢
C.生長(zhǎng)的二氧化硅缺陷多
D.生長(zhǎng)的二氧化硅薄膜鈍化效果差
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1.單項(xiàng)選擇題干氧氧化中，氧化爐內(nèi)的氣體壓力應(yīng)（）一個(gè)大氣壓。
A.稍高于
B.大大于
C.等于
D.沒有要求
2.單項(xiàng)選擇題下列幾種氧化方法相比，哪種方法制得的二氧化硅薄膜的電阻率會(huì)高些（）。
A.干氧氧化
B.濕氧氧化
C.水汽氧化
D.與氧化方法無關(guān)
3.單項(xiàng)選擇題二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）學(xué)性質(zhì)的重要參數(shù)。
A.電
B.磁
C.光
D.熱
4.單項(xiàng)選擇題采用熱氧化方法制備的二氧化硅從結(jié)構(gòu)上看是（）的。
A.結(jié)晶形態(tài)
B.非結(jié)晶形態(tài)
C.可能是結(jié)晶形態(tài)的，也可能是非結(jié)晶形態(tài)的
D.以上都不對(duì)
5.多項(xiàng)選擇題下列物質(zhì)中是結(jié)晶形態(tài)二氧化硅的有（）。
A.硅土
B.石英
C.磷石英
D.玻璃
E.水晶
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題型：多項(xiàng)選擇題
分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時(shí)，判斷其造成原因有（）
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