A.結(jié)晶形態(tài)
B.非結(jié)晶形態(tài)
C.可能是結(jié)晶形態(tài)的,也可能是非結(jié)晶形態(tài)的
D.以上都不對(duì)
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A.硅土
B.石英
C.磷石英
D.玻璃
E.水晶
A.結(jié)晶形態(tài)
B.非結(jié)晶形態(tài)
C.可能是結(jié)晶形態(tài)的,也可能是非結(jié)晶形態(tài)的
D.以上都不對(duì)
A.可以實(shí)現(xiàn)兩個(gè)以上同類網(wǎng)絡(luò)的聯(lián)接
B.可以實(shí)現(xiàn)異種網(wǎng)絡(luò)的互連
C.實(shí)現(xiàn)信號(hào)的收集、緩沖及格式的變換
D.實(shí)現(xiàn)傳遞信號(hào)的放大和整形
A.應(yīng)用層
B.網(wǎng)絡(luò)層
C.物理層
D.傳輸層
A.離子計(jì)
B.熱傳導(dǎo)真空計(jì)
C.放電型真空計(jì)
D.麥克勞式真空計(jì)
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最新試題
以下是離子注入過(guò)程中的主要參數(shù)的是()
根據(jù)曝光模式,光制機(jī)的種類分為()。
回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有()
通過(guò)分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來(lái)判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測(cè)方法是()
刻蝕氮化硅薄膜時(shí),可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕,此時(shí)的溫度一般設(shè)置在()
敘述測(cè)試晶體管的方法?
電子束蒸發(fā)中有一個(gè)特殊的部件是()
鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是()
分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù),在檢驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時(shí),判斷其造成原因有()
在離子注入完成后,檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況,該情況引起的主要問(wèn)題有()