A.干氧氧化
B.濕氧氧化
C.水汽氧化
D.與氧化方法無關(guān)
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A.電
B.磁
C.光
D.熱
A.結(jié)晶形態(tài)
B.非結(jié)晶形態(tài)
C.可能是結(jié)晶形態(tài)的,也可能是非結(jié)晶形態(tài)的
D.以上都不對(duì)
A.硅土
B.石英
C.磷石英
D.玻璃
E.水晶
A.結(jié)晶形態(tài)
B.非結(jié)晶形態(tài)
C.可能是結(jié)晶形態(tài)的,也可能是非結(jié)晶形態(tài)的
D.以上都不對(duì)
A.可以實(shí)現(xiàn)兩個(gè)以上同類網(wǎng)絡(luò)的聯(lián)接
B.可以實(shí)現(xiàn)異種網(wǎng)絡(luò)的互連
C.實(shí)現(xiàn)信號(hào)的收集、緩沖及格式的變換
D.實(shí)現(xiàn)傳遞信號(hào)的放大和整形
最新試題
高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進(jìn)光刻機(jī)上,那么i線的UV光波長(zhǎng)為()
影響顯影工藝的因素有()。
在離子注入完成后,檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況,該情況引起的主要問題有()
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃,二氧化硅的厚度為4000塊,如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后,厚度變?yōu)?400埃,那么這個(gè)過程中刻蝕速率是()埃/分鐘。
通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測(cè)方法是()
兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn),又有可接受的選擇比的刻蝕方法是()。
傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有()
敘述測(cè)試晶體管的方法?
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有()。
根據(jù)曝光模式,光制機(jī)的種類分為()。