單項(xiàng)選擇題二氧化硅薄膜的折射率是表征其()學(xué)性質(zhì)的重要參數(shù)。
A.電
B.磁
C.光
D.熱
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1.單項(xiàng)選擇題采用熱氧化方法制備的二氧化硅從結(jié)構(gòu)上看是()的。
A.結(jié)晶形態(tài)
B.非結(jié)晶形態(tài)
C.可能是結(jié)晶形態(tài)的,也可能是非結(jié)晶形態(tài)的
D.以上都不對(duì)
2.多項(xiàng)選擇題下列物質(zhì)中是結(jié)晶形態(tài)二氧化硅的有()。
A.硅土
B.石英
C.磷石英
D.玻璃
E.水晶
3.單項(xiàng)選擇題采用熱氧化方法制備的二氧化硅從結(jié)構(gòu)上看是()的。
A.結(jié)晶形態(tài)
B.非結(jié)晶形態(tài)
C.可能是結(jié)晶形態(tài)的,也可能是非結(jié)晶形態(tài)的
D.以上都不對(duì)
4.單項(xiàng)選擇題局域網(wǎng)中使用中繼器的作用是()。
A.可以實(shí)現(xiàn)兩個(gè)以上同類網(wǎng)絡(luò)的聯(lián)接
B.可以實(shí)現(xiàn)異種網(wǎng)絡(luò)的互連
C.實(shí)現(xiàn)信號(hào)的收集、緩沖及格式的變換
D.實(shí)現(xiàn)傳遞信號(hào)的放大和整形
5.單項(xiàng)選擇題TCP/IP協(xié)議中的TCP相當(dāng)于OSI中的()。
A.應(yīng)用層
B.網(wǎng)絡(luò)層
C.物理層
D.傳輸層
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刻蝕氮化硅薄膜時(shí),可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕,此時(shí)的溫度一般設(shè)置在()
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