A.結(jié)晶形態(tài)
B.非結(jié)晶形態(tài)
C.可能是結(jié)晶形態(tài)的,也可能是非結(jié)晶形態(tài)的
D.以上都不對
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A.可以實現(xiàn)兩個以上同類網(wǎng)絡(luò)的聯(lián)接
B.可以實現(xiàn)異種網(wǎng)絡(luò)的互連
C.實現(xiàn)信號的收集、緩沖及格式的變換
D.實現(xiàn)傳遞信號的放大和整形
A.應(yīng)用層
B.網(wǎng)絡(luò)層
C.物理層
D.傳輸層
A.離子計
B.熱傳導真空計
C.放電型真空計
D.麥克勞式真空計
A.擴散泵
B.誰循環(huán)泵
C.干式真空泵
D.路茲泵
A.點缺陷
B.線缺陷
C.面缺陷
D.缺失的點
最新試題
下列可能造成離子源沾污的因素是()
在離子注入完成后,檢驗到硅片表面有顆粒污染嚴重的情況,該情況引起的主要問題有()
堅膜烘焙在加熱平板上進行,溫度控制在()。
說明功能檢測工裝的制作原理?
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃,二氧化硅的厚度為4000塊,如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后,厚度變?yōu)?400埃,那么這個過程中刻蝕速率是()埃/分鐘。
分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù),在檢驗時發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時,判斷其造成原因有()
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括()
環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性,通常將環(huán)境溫度設(shè)定于()。
離子注入機掃描系統(tǒng)中,采用的掃描方式有()
電子束蒸發(fā)中有一個特殊的部件是()