問答題對于某種薄膜的CVD過程，淀積溫度為900℃，質(zhì)量傳輸系數(shù)hG=10cms-1，表面反應速率系數(shù)ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1?，F(xiàn)有以下兩種淀積系統(tǒng)可供選擇（1）冷壁，石墨支座型；（2）熱壁，堆放硅片型。應該選用哪種類型的淀積系統(tǒng)并簡述理由。
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