目前在半自動化和自動化的鍵合機上用的金絲或硅鋁絲都是經(jīng)生產(chǎn)廠家嚴格處理包裝后銷售，一般不能再退火，一經(jīng)退火反而壞了性能。（）

單晶是原子或離子沿著三個不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學(xué)取向所堆垛起來的遠程有序的晶體。（）

晶體的特點是在各不同晶向上的物理性能、機械性能、化學(xué)性能都相同。（）

敘述H2還原SiCl4外延的原理，寫出化學(xué)方程式。

片狀源擴散具有設(shè)備簡單，操作方便，晶片缺陷少，均勻性、重復(fù)性和表面質(zhì)量都較好，適于批量生產(chǎn)，應(yīng)用越來越普遍。（）

低溫淀積二氧化硅生長溫度低、制作方便，但膜不夠致密，耐潮性和抗離子沾污能力較差。（）

鈀．銀電阻的燒結(jié)分預(yù)燒結(jié)、燒結(jié)、降溫冷卻三個階段。（）

點缺陷，如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它們構(gòu)成的復(fù)合體。（）

設(shè)置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強度的50％。（）

值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個重要參數(shù)，也是檢驗晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個pn結(jié)質(zhì)量優(yōu)劣的重要標志。（）