單項選擇題單相3線插座接線有嚴(yán)格規(guī)定（）
A.“左零”“右火”
B.“左火”“右零”
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1.多項選擇題按蒸發(fā)源加熱方法的不同，真空蒸發(fā)工藝可分為：（）蒸發(fā)、（）蒸發(fā)、離子束蒸發(fā)等。
A.電阻加熱
B.電子束
C.蒸氣原子
2.單項選擇題將預(yù)先制好的掩膜直接和涂有光致抗蝕劑的晶片表面接觸，再用紫外光照射來進(jìn)行曝光的方法，稱為（）曝光。
A.接觸
B.接近式
C.投影
3.單項選擇題光刻工藝是利用感光膠感光后抗腐蝕的特性在半導(dǎo)體晶片表面的掩膜層上的工藝（）
A.刻制圖形
B.繪制圖形
C.制作圖形
4.單項選擇題介質(zhì)隔離是以絕緣性能良好的電介質(zhì)作為“隔離墻”來實現(xiàn)電路中各元器件間彼此電絕緣的一種隔離方法。常用的電介質(zhì)是（）層。
A.多晶硅
B.氮化硅
C.二氧化硅
5.單項選擇題二氧化硅在擴(kuò)散時能對雜質(zhì)起掩蔽作用進(jìn)行（）擴(kuò)散。
A.預(yù)
B.再
C.選擇
最新試題
邏輯電路只能處理“非O即1“這兩個值。（）
題型：判斷題
液相外延的原理是飽和溶液隨著溫度的降低產(chǎn)生過飽和結(jié)晶。（）
題型：判斷題
金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜，帶膠蒸發(fā)或濺射所需的金屬，然后在去除光致抗蝕劑膜的同時，把膠膜上的金屬一起去除干凈。（）
題型：判斷題
門陣列的基本結(jié)構(gòu)形式有兩種：一種是晶體管陣列，一種是門陣列（）
題型：判斷題
離子源是產(chǎn)生離子的裝置。（）
題型：判斷題
單晶是原子或離子沿著三個不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學(xué)取向所堆垛起來的遠(yuǎn)程有序的晶體。（）
題型：判斷題
厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復(fù)原狀。（）
題型：判斷題
在半導(dǎo)體中摻金是為了使非平衡載流子的壽命增加。（）
題型：判斷題
場效應(yīng)晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。（）
題型：判斷題
值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個重要參數(shù)，也是檢驗晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個pn結(jié)質(zhì)量優(yōu)劣的重要標(biāo)志。（）
題型：判斷題