鈀．銀電阻的燒結(jié)分預(yù)燒結(jié)、燒結(jié)、降溫冷卻三個(gè)階段。（）

單晶是原子或離子沿著三個(gè)不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學(xué)取向所堆垛起來(lái)的遠(yuǎn)程有序的晶體。（）

位錯(cuò)就是由范性形變?cè)斐傻?，它可以使晶體內(nèi)的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離，位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯(cuò)位，這樣產(chǎn)生線缺陷稱為位錯(cuò)。（）

目前在半自動(dòng)化和自動(dòng)化的鍵合機(jī)上用的金絲或硅鋁絲都是經(jīng)生產(chǎn)廠家嚴(yán)格處理包裝后銷(xiāo)售，一般不能再退火，一經(jīng)退火反而壞了性能。（）

拋光片的電學(xué)參數(shù)包括電阻率，載流子濃度，遷移率，直徑、厚度、主參考面等。（）

設(shè)置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強(qiáng)度的50％。（）

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。（）

集成電容主要有哪幾種結(jié)構(gòu)？

硅MOSFET和硅JFET結(jié)構(gòu)相同。（）

在半導(dǎo)體中摻金是為了使非平衡載流子的壽命增加。（）