光致抗蝕劑在曝光前對某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質(zhì)，這一類抗蝕劑稱為負性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負性膠。（）

遷移率是反映半導體中載流子導電能力的重要參數(shù)。摻雜半導體的電導率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導率就越高。（）

可靠性篩選可以剔除早期失效的產(chǎn)品。（）

點缺陷，如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它們構(gòu)成的復合體。（）

金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜，帶膠蒸發(fā)或濺射所需的金屬，然后在去除光致抗蝕劑膜的同時，把膠膜上的金屬一起去除干凈。（）

門陣列的基本結(jié)構(gòu)形式有兩種：一種是晶體管陣列，一種是門陣列（）

集成電容主要有哪幾種結(jié)構(gòu)？

值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個重要參數(shù)，也是檢驗晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個pn結(jié)質(zhì)量優(yōu)劣的重要標志。（）

光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（）

在半導體集成電路中，各元器件都是制作在同一晶片內(nèi)。因此要使它們起著預定的作用而不互相影響，就必須使它們在電性能上相互絕緣。（）