場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。（）

位錯(cuò)就是由范性形變?cè)斐傻?，它可以使晶體內(nèi)的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離，位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯(cuò)位，這樣產(chǎn)生線缺陷稱為位錯(cuò)。（）

拋光片的電學(xué)參數(shù)包括電阻率，載流子濃度，遷移率，直徑、厚度、主參考面等。（）

點(diǎn)缺陷，如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它們構(gòu)成的復(fù)合體。（）

遷移率是反映半導(dǎo)體中載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù)。摻雜半導(dǎo)體的電導(dǎo)率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導(dǎo)率就越高。（）

表面鈍化工藝是在半導(dǎo)體芯片表面復(fù)蓋一層保護(hù)膜，使器件的表面與周圍氣氛隔離。（）

厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復(fù)雜，比表面積就越大，則表面自由能也就越高，對(duì)燒結(jié)越有利。（）

半導(dǎo)體芯片制造工藝對(duì)水質(zhì)的要求一般.（）

低溫淀積二氧化硅生長(zhǎng)溫度低、制作方便，但膜不夠致密，耐潮性和抗離子沾污能力較差。（）

門陣列的基本結(jié)構(gòu)形式有兩種：一種是晶體管陣列，一種是門陣列（）