晶體的特點(diǎn)是在各不同晶向上的物理性能、機(jī)械性能、化學(xué)性能都相同。（）

光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（）

厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復(fù)原狀。（）

點(diǎn)缺陷，如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它們構(gòu)成的復(fù)合體。（）

設(shè)備、試劑、氣瓶等所有物品不需經(jīng)嚴(yán)格清潔處理，可直接進(jìn)入凈化區(qū)。（）

光致抗蝕劑在曝光前對某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質(zhì)，這一類抗蝕劑稱為負(fù)性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負(fù)性膠。（）

半導(dǎo)體芯片制造工藝對水質(zhì)的要求一般.（）

場效應(yīng)晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。（）

厚膜漿料屬于牛頓流體，因此其粘度屬于正常黏度。（）

敘述H2還原SiCl4外延的原理，寫出化學(xué)方程式。