退火處理能使金絲和硅鋁絲的抗斷強(qiáng)度下降。（）

晶體的特點(diǎn)是在各不同晶向上的物理性能、機(jī)械性能、化學(xué)性能都相同。（）

光致抗蝕劑在曝光前對(duì)某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質(zhì)，這一類抗蝕劑稱為負(fù)性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負(fù)性膠。（）

半導(dǎo)體芯片制造工藝對(duì)水質(zhì)的要求一般.（）

設(shè)備、試劑、氣瓶等所有物品不需經(jīng)嚴(yán)格清潔處理，可直接進(jìn)入凈化區(qū)。（）

硅MOSFET和硅JFET結(jié)構(gòu)相同。（）

鈀．銀電阻的燒結(jié)分預(yù)燒結(jié)、燒結(jié)、降溫冷卻三個(gè)階段。（）

離子源是產(chǎn)生離子的裝置。（）

光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（）

值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個(gè)重要參數(shù)，也是檢驗(yàn)晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個(gè)pn結(jié)質(zhì)量?jī)?yōu)劣的重要標(biāo)志。（）