多項選擇題按蒸發(fā)源加熱方法的不同，真空蒸發(fā)工藝可分為：（）蒸發(fā)、（）蒸發(fā)、離子束蒸發(fā)等。
A.電阻加熱
B.電子束
C.蒸氣原子
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1.單項選擇題將預(yù)先制好的掩膜直接和涂有光致抗蝕劑的晶片表面接觸，再用紫外光照射來進行曝光的方法，稱為（）曝光。
A.接觸
B.接近式
C.投影
2.單項選擇題光刻工藝是利用感光膠感光后抗腐蝕的特性在半導(dǎo)體晶片表面的掩膜層上的工藝（）
A.刻制圖形
B.繪制圖形
C.制作圖形
3.單項選擇題介質(zhì)隔離是以絕緣性能良好的電介質(zhì)作為“隔離墻”來實現(xiàn)電路中各元器件間彼此電絕緣的一種隔離方法。常用的電介質(zhì)是（）層。
A.多晶硅
B.氮化硅
C.二氧化硅
4.單項選擇題二氧化硅在擴散時能對雜質(zhì)起掩蔽作用進行（）擴散。
A.預(yù)
B.再
C.選擇
5.單項選擇題Ⅰ號液是（）過氧化氫清洗液.
A.堿性
B.酸性
C.中性
最新試題
敘述H2還原SiCl4外延的原理，寫出化學(xué)方程式。
題型：問答題
點缺陷，如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它們構(gòu)成的復(fù)合體。（）
題型：判斷題
液相外延的原理是飽和溶液隨著溫度的降低產(chǎn)生過飽和結(jié)晶。（）
題型：判斷題
雙極晶體管中只有一種載流子（電子或空穴）傳輸電流。（）
題型：判斷題
干法腐蝕清潔、干凈、無脫膠現(xiàn)象、圖形精度和分辨率高。（）
題型：判斷題
鈀．銀電阻的燒結(jié)分預(yù)燒結(jié)、燒結(jié)、降溫冷卻三個階段。（）
題型：判斷題
門陣列的基本結(jié)構(gòu)形式有兩種：一種是晶體管陣列，一種是門陣列（）
題型：判斷題
設(shè)置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強度的50％。（）
題型：判斷題
值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個重要參數(shù)，也是檢驗晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個pn結(jié)質(zhì)量優(yōu)劣的重要標志。（）
題型：判斷題
可靠性篩選可以剔除早期失效的產(chǎn)品。（）
題型：判斷題