半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2020.02.02)

問(wèn)答題
簡(jiǎn)述在芯片制造中對(duì)金屬電極材料有什么要求？
答案：1、能很好的阻擋材料擴(kuò)散；
2、高電導(dǎo)率，低歐姆接觸電阻；
3、在半導(dǎo)體和金屬之間有很好的附著能力；...
問(wèn)答題
熱退火用于消除離子注入造成的損傷，溫度要低于雜質(zhì)熱擴(kuò)散的溫度，然而，雜質(zhì)縱向分布仍會(huì)出現(xiàn)高斯展寬與拖尾現(xiàn)象，解釋其原因。
答案：離子注入后會(huì)對(duì)晶格造成簡(jiǎn)單晶格損傷和非晶層形成；損傷晶體空位密度大于非損傷晶體，且存在大量間隙原子和其他缺陷，使擴(kuò)散系數(shù)...
問(wèn)答題
畫(huà)出側(cè)墻轉(zhuǎn)移工藝和self-aligned double patterning（SADP）的工藝流程圖。
答案：
單項(xiàng)選擇題
變?nèi)荻O管的電容量隨（）變化。
A.正偏電流
B.反偏電壓
C.結(jié)溫
問(wèn)答題
什么是硅片的自然氧化層？由自然氧化層引起的三種問(wèn)題是什么？
答案：自然氧化層：如果曝露于室溫下的空氣或含溶解氧的去離子水中，硅片的表面將被氧化。這一薄氧化層稱(chēng)為自然氧化層。硅片上最初的自...
問(wèn)答題
引線焊接有哪些質(zhì)量要求？
答案：可靠性好，易保持一定形狀，化學(xué)穩(wěn)定性好。盡量少形成金屬間化合物，鍵合引線和焊盤(pán)金屬間形成低電阻歐姆接觸。平整度傾斜度，平...
填空題
對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)EDA系統(tǒng)而言，標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)應(yīng)包含以下內(nèi)容：（）、和（）、（）、（）。
答案：邏輯單元符號(hào)庫(kù)；功能單元庫(kù)；拓?fù)鋯卧獛?kù)；版圖單元庫(kù)
問(wèn)答題
例舉并描述金屬用于硅片制造的7種要求。
答案：金屬用于硅片制造的七個(gè)要求：
1.導(dǎo)電率：為維持電性能的完整性，必須具有高電導(dǎo)率，能夠傳導(dǎo)高電流密度。
問(wèn)答題
最通常的半導(dǎo)體材料是什么？該材料使用最普遍的原因是什么？
答案：最通常的半導(dǎo)體材料是硅。
原因：
1.硅的豐裕度；
2.更高的融化溫度允許更高的工藝容限；...
問(wèn)答題
在干法刻蝕的終點(diǎn)檢測(cè)方法中，光學(xué)放射頻譜分析法最常見(jiàn)，簡(jiǎn)述其工作原理和優(yōu)缺點(diǎn)。
答案：光學(xué)放射頻譜分析是利用檢測(cè)等離子體中某種波長(zhǎng)的光線強(qiáng)度變化來(lái)達(dá)到終點(diǎn)檢測(cè)的目的。光強(qiáng)的變化反映了等離子體中原子或分子濃度...

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半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2020.02.02)

簡(jiǎn)述在芯片制造中對(duì)金屬電極材料有什么要求？

熱退火用于消除離子注入造成的損傷，溫度要低于雜質(zhì)熱擴(kuò)散的溫度，然而，雜質(zhì)縱向分布仍會(huì)出現(xiàn)高斯展寬與拖尾現(xiàn)象，解釋其原因。

畫(huà)出側(cè)墻轉(zhuǎn)移工藝和self-aligned double patterning（SADP）的工藝流程圖。

變?nèi)荻O管的電容量隨（）變化。

什么是硅片的自然氧化層？由自然氧化層引起的三種問(wèn)題是什么？

引線焊接有哪些質(zhì)量要求？

對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)EDA系統(tǒng)而言，標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)應(yīng)包含以下內(nèi)容：（）、和（）、（）、（）。

例舉并描述金屬用于硅片制造的7種要求。

最通常的半導(dǎo)體材料是什么？該材料使用最普遍的原因是什么？

在干法刻蝕的終點(diǎn)檢測(cè)方法中，光學(xué)放射頻譜分析法最常見(jiàn)，簡(jiǎn)述其工作原理和優(yōu)缺點(diǎn)。

半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2020.02.02)

簡(jiǎn)述在芯片制造中對(duì)金屬電極材料有什么要求？

熱退火用于消除離子注入造成的損傷，溫度要低于雜質(zhì)熱擴(kuò)散的溫度，然而，雜質(zhì)縱向分布仍會(huì)出現(xiàn)高斯展寬與拖尾現(xiàn)象，解釋其原因。

畫(huà)出側(cè)墻轉(zhuǎn)移工藝和self-aligned double patterning（SADP）的工藝流程圖。

變?nèi)荻O管的電容量隨（）變化。

什么是硅片的自然氧化層？由自然氧化層引起的三種問(wèn)題是什么？

引線焊接有哪些質(zhì)量要求？

對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)EDA系統(tǒng)而言，標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)應(yīng)包含以下內(nèi)容：（）、和（）、（）、（）。

例舉并描述金屬用于硅片制造的7種要求。

最通常的半導(dǎo)體材料是什么？該材料使用最普遍的原因是什么？

在干法刻蝕的終點(diǎn)檢測(cè)方法中，光學(xué)放射頻譜分析法最常見(jiàn)，簡(jiǎn)述其工作原理和優(yōu)缺點(diǎn)。

熱退火用于消除離子注入造成的損傷，溫度要低于雜質(zhì)熱擴(kuò)散的溫度，然而，雜質(zhì)縱向分布仍會(huì)出現(xiàn)高斯展寬與拖尾現(xiàn)象，解釋其原因。

畫(huà)出側(cè)墻轉(zhuǎn)移工藝和self-aligned double patterning（SADP）的工藝流程圖。

什么是硅片的自然氧化層？由自然氧化層引起的三種問(wèn)題是什么？

引線焊接有哪些質(zhì)量要求？

對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)EDA系統(tǒng)而言，標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)應(yīng)包含以下內(nèi)容：（）、和（）、（）、（）。

例舉并描述金屬用于硅片制造的7種要求。

最通常的半導(dǎo)體材料是什么？該材料使用最普遍的原因是什么？

在干法刻蝕的終點(diǎn)檢測(cè)方法中，光學(xué)放射頻譜分析法最常見(jiàn)，簡(jiǎn)述其工作原理和優(yōu)缺點(diǎn)。