濺射法是由（）轟擊靶材表面，使靶原子從靶表面飛濺出來淀積在襯底上形成薄膜。

恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為（）分布。

雙極晶體管的高頻參數(shù)是（）。

雜質(zhì)原子在半導(dǎo)體中的擴(kuò)散機(jī)理比較復(fù)雜，但主要可分為（）擴(kuò)散和（）擴(kuò)散兩種。

pn結(jié)的擊穿電壓和反向漏電流既是晶體管的重要直流參數(shù)，也是評(píng)價(jià)（）的重要標(biāo)志。

有哪幾種常用的化學(xué)氣相淀積薄膜的方法？

半導(dǎo)體分立器件、集成電路對(duì)外殼的主要要求之一是：良好的熱性能。外殼應(yīng)有小的（），使芯片的熱量有效地散逸出去，保證器件在正常結(jié)溫下工作。

變?nèi)荻O管的電容量隨（）變化。

半導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學(xué)組成分類。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為（）半導(dǎo)體、（）半導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類。

器件的橫向尺寸控制幾乎全由（）來實(shí)現(xiàn)。