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問(wèn)答題
【論述題】畫(huà)出側(cè)墻轉(zhuǎn)移工藝和self-aligned double patterning（SADP）的工藝流程圖。
答案：
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問(wèn)答題
【論述題】簡(jiǎn)述電子束光刻的光柵掃描方法和矢量掃描方法有何區(qū)別。
答案：
在光柵掃描方法中，每一個(gè)像素必須被逐次掃描。這樣，曝光時(shí)間幾乎與圖形無(wú)關(guān)，圖形就是通過(guò)打開(kāi)和關(guān)閉快門(mén)寫(xiě)出來(lái)的。而已經(jīng)開(kāi)發(fā)...
問(wèn)答題
【論述題】浸沒(méi)式光刻機(jī)相對(duì)于傳統(tǒng)的光刻機(jī)有何不同。
答案：
根據(jù)瑞利判據(jù)：要提高分辨率，可以通過(guò)增大數(shù)值孔徑NA來(lái)實(shí)現(xiàn)。傳統(tǒng)曝光設(shè)備在鏡頭與硅片之間的介質(zhì)是空氣，空氣的折射率是1；...
