硅MOSFET和硅JFET結構相同。（）

可靠性篩選可以剔除早期失效的產品。（）

片狀源擴散具有設備簡單，操作方便，晶片缺陷少，均勻性、重復性和表面質量都較好，適于批量生產，應用越來越普遍。（）

在半導體集成電路中，各元器件都是制作在同一晶片內。因此要使它們起著預定的作用而不互相影響，就必須使它們在電性能上相互絕緣。（）

遷移率是反映半導體中載流子導電能力的重要參數(shù)。摻雜半導體的電導率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導率就越高。（）

設備、試劑、氣瓶等所有物品不需經嚴格清潔處理，可直接進入凈化區(qū)。（）

場效應晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。（）

設置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強度的50％。（）

厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復雜，比表面積就越大，則表面自由能也就越高，對燒結越有利。（）

目前在半自動化和自動化的鍵合機上用的金絲或硅鋁絲都是經生產廠家嚴格處理包裝后銷售，一般不能再退火，一經退火反而壞了性能。（）