禁帶寬度的大小決定著電子從價帶跳到導帶的難易，一般半導體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導體器件中的載流子（）外界因素（如高溫和輻射等）的干擾而產(chǎn)生變化。

半導體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學組成分類。比較通用的則是根據(jù)其化學組成可分為（）半導體、（）半導體、固溶半導體三大類。

熱分解化學氣相淀積二氧化硅是利用（）化合物，經(jīng)過熱分解反應(yīng)，在基片表面淀積二氧化硅。

典型的GaAsMESFET結(jié)構(gòu)IC的工藝流程？

什么叫晶體缺陷？

雙極晶體管的高頻參數(shù)是（）。

超聲熱壓焊的主要應(yīng)用對象是超小型鍍金外殼與鍍金管帽的焊接，焊接處依靠（）封接，因而外殼零件的平整度和鍍金層厚度是實現(xiàn)可靠性封接的關(guān)鍵因素。

雙極晶體管的1c7r噪聲與（）有關(guān)。

非接觸式厚膜電路絲網(wǎng)印刷時，絲網(wǎng)與基片之間有一定的距離，稱為間隙，通常為（）。

在低溫玻璃密封工藝中，常用的運載劑由2％（質(zhì)量比）的硝化纖維素溶解于98％（質(zhì)量比）的醋酸異戊酯或松油醇中制得，再將20％的運載劑與（）的玻璃料均勻混合，配成印刷漿料。