半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)章節(jié)練習(xí)(2018.02.01)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題 下圖為一個典型的離子注入系統(tǒng)。（1）給出1~6數(shù)字標(biāo)識部分的名稱，簡述其作用。（2）闡述部件2的工作原理。

參考答案：1.離子源2.分析磁塊3.加速器4.中性束閘5.x&y掃描板6.法拉第杯
1.離子源作用：產(chǎn)生注入用的離子原理...

2.問答題簡述APCVD、LPCVD、PECVD的特點。

參考答案：APCVD——一些最早的CVD工藝是在大氣壓下進(jìn)行的，由于反應(yīng)速率快，CVD系統(tǒng)簡單，適于較厚的...

3.問答題簡述幾種常用的氧化方法及其特點。

參考答案：制備SiO2的方法有很多，熱分解淀積、濺射、真空蒸發(fā)、陽極氧化法、化學(xué)氣相淀積、熱氧化法等。熱生長法制備的SiO2質(zhì)量好...

4.問答題什么是離子分布的偏斜度和峭度，和標(biāo)準(zhǔn)高斯分布有什么區(qū)別？

參考答案：非對稱性常用偏斜度γ（skewness）表示：γ為負(fù)值表明雜質(zhì)分布在表面一側(cè)的濃度增加，即x＜R...

5.問答題什么是光刻中常見的表面反射和駐波效應(yīng)？如何解決？

參考答案：表面反射——穿過光刻膠的光會從晶圓片表面反射出來，從而改變投入光刻膠的光學(xué)能量。當(dāng)晶圓片表面有高...

6.問答題簡述外延薄膜的生長過程，其最顯著的特征是什么？

參考答案：生長過程：①傳輸：反應(yīng)物從氣相經(jīng)邊界層轉(zhuǎn)移到Si表面；②吸附：反應(yīng)物吸附在Si表面；③化學(xué)反應(yīng)：在Si表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，...

7.問答題物理氣相淀積最基本的兩種方法是什么？簡述這兩種方法制備薄膜的過程。

參考答案：物理氣相淀積：蒸發(fā)Evaporation、濺射Sputtering熱蒸發(fā)法：在真空條件下，加熱蒸發(fā)源，使原子或分子從蒸發(fā)...

8.問答題浸沒式光刻機(jī)相對于傳統(tǒng)的光刻機(jī)有何不同。

參考答案：根據(jù)瑞利判據(jù)：要提高分辨率，可以通過增大數(shù)值孔徑NA來實現(xiàn)。傳統(tǒng)曝光設(shè)備在鏡頭與硅片之間的介質(zhì)是空氣，空氣的折射率是1；...

9.問答題下圖為直流等離子放電的I-V曲線，請分別寫出a-g各段的名稱?？捎米靼雽?dǎo)體制造工藝中離子轟擊的是其中哪一段？試解釋其工作原理。

參考答案：ab段為無光放電區(qū)；bc段為湯生放電；c點為放電的著火點，cd段為前期輝光放電；de段為正常輝光放電區(qū)ef段為反常輝光放...

10.問答題射頻放電與直流放電相比有何優(yōu)點？

參考答案：直流放電中，電荷在表面的積聚會使電場減小，直到等離子體消失。在射頻電場中，因為電場周期性地改變方向，帶電粒子不容易到達(dá)電...