問答題什么是離子分布的偏斜度和峭度,和標(biāo)準(zhǔn)高斯分布有什么區(qū)別?
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敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。
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描述電子回旋共振(ECR)。
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刻蝕工藝有哪兩種類型?簡(jiǎn)單描述各類刻蝕工藝。
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光學(xué)光刻中影響圖像質(zhì)量的兩個(gè)重要參數(shù)是什么?
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離子源的目的是什么?最常用的離子源是什么?
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哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來(lái)刻蝕多晶硅?描述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟。
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例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。
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例舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。
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