摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

常壓的硅外延方法有（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。