進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

新的平坦化方法有哪幾個？（）

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。