1、原生氧化層 2、屏蔽氧化層 3、遮蔽氧化層 4、場區(qū)和局部氧化層 5、襯墊氧化層 6、犧牲氧化層 7、柵極氧化層 8、阻擋氧化層
1、整形處理:去掉兩端,檢查電阻確定單晶硅達到合適的摻雜均勻度。 2、切片 3、磨片和倒角 4、刻蝕 5、化學機械拋光
縮寫中文含義 APCVD HDPCVD LPCVD PECVD PVD BJT CD CMOS CMP MIC ILD MBE SOI DUV MOCVD BSG PSG BPSG RTP RTA IC LOCOS STI LI VLSI CA FIB ARC ASIC RIE FIB EUV LDD
最新試題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
光刻工藝的特點包括()。
消除鳥嘴效應的方法有()。
金屬化中可選用的金屬材料有()。
摻雜后,退火的目的是()。
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是()。
CE定律發(fā)展面臨的問題包括()。
硅暴露在空氣中,在室溫下即可產生二氧化硅層,厚度約為()。
進行溝槽填充常用的金屬材料是()。
如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物?()