單項(xiàng)選擇題化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

A.還原劑
B.分散劑
C.腐蝕介質(zhì)
D.磨料


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1.多項(xiàng)選擇題CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

A.臺(tái)板
B.拋光液
C.拋光墊
D.夾持設(shè)備

2.多項(xiàng)選擇題新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

A.固結(jié)磨料CMP技術(shù)
B.無磨粒CMP技術(shù)
C.無應(yīng)力拋光技術(shù)
D.電化學(xué)機(jī)械平坦化技術(shù)

3.多項(xiàng)選擇題光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

A.上下偏移
B.X或Y方向的平移
C.轉(zhuǎn)動(dòng)
D.套準(zhǔn)誤差

4.多項(xiàng)選擇題光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

A.決定特征尺寸的關(guān)鍵工藝
B.光刻與芯片的價(jià)格和性能密切相關(guān)
C.光刻工藝過程復(fù)雜
D.復(fù)印圖像和化學(xué)作用相結(jié)合的綜合性技術(shù)

5.單項(xiàng)選擇題光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

A.掩膜版
B.對(duì)準(zhǔn)和曝光
C.光刻機(jī)
D.光刻膠