常壓的硅外延方法有（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。