影響顯影工藝的因素有（）。

利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進半導體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）

高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進光刻機上，那么i線的UV光波長為（）

通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于（）

光刻膠對人部分可見光敏感，但對（）光不敏感。

最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）

通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達到終點的終點檢測方法是（）

刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）

兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。

回態(tài)源擴散的雜質(zhì)源有（）