在離子注入完成后，檢驗到硅片表面有顆粒污染嚴重的情況，該情況引起的主要問題有（）

通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達到終點的終點檢測方法是（）

（）可以通過帶電粒子在盛場作用下做運動把粒子進行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。

解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。

刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）

金屬薄膜制備中常見的濺射方式有（）

電子束蒸發(fā)中有一個特殊的部件是（）

試說明ICT測試電阻器阻值的原理？為什么要加隔離點？

離子注入機掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）

回態(tài)源擴散的雜質(zhì)源有（）