刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）

一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）

解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。

當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí)，一般使用（）。

根據(jù)曝光模式，光制機(jī)的種類分為（）。

通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測(cè)方法是（）

光刻膠對(duì)人部分可見光敏感，但對(duì)（）光不敏感。

假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。

離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）

試說明ICT測(cè)試電阻器阻值的原理？為什么要加隔離點(diǎn)？