通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于（）

光刻膠對人部分可見光敏感，但對（）光不敏感。

高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進(jìn)光刻機(jī)上，那么i線的UV光波長為（）

解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。

兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn)，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。

環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。

假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。

鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是（）

利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）

當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí)，一般使用（）。