在離子注入完成后，檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問題有（）

最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括（）

刻蝕氮化硅薄膜時，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時的溫度一般設(shè)置在（）

在顯影過程中，對于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。

分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗(yàn)時發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時，判斷其造成原因有（）

說明功能檢測工裝的制作原理？

回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有（）

當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時，一般使用（）。

試說明ICT測試電阻器阻值的原理？為什么要加隔離點(diǎn)？

電子束蒸發(fā)中有一個特殊的部件是（）