問(wèn)答題總結(jié)使用集成電路的注意事項(xiàng)是什么?
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最新試題
環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性,通常將環(huán)境溫度設(shè)定于()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí),一般使用()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟?()
題型:多項(xiàng)選擇題
說(shuō)明功能檢測(cè)工裝的制作原理?
題型:?jiǎn)柎痤}
刻蝕氮化硅薄膜時(shí),可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕,此時(shí)的溫度一般設(shè)置在()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
金屬薄膜制備中常見(jiàn)的濺射方式有()
題型:多項(xiàng)選擇題
影響顯影工藝的因素有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù),在檢驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時(shí),判斷其造成原因有()
題型:多項(xiàng)選擇題
刻蝕的過(guò)程中,對(duì)刻蝕的要求是()
題型:多項(xiàng)選擇題