調(diào)試和維修電路時(shí)排除故障的一般程序和方法是怎樣的？

在離子注入完成后，檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問(wèn)題有（）

離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）

下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟？（）

刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）

分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時(shí)，判斷其造成原因有（）

金屬薄膜制備中常見(jiàn)的濺射方式有（）

以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）

當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí)，一般使用（）。

（）可以通過(guò)帶電粒子在盛場(chǎng)作用下做運(yùn)動(dòng)把粒子進(jìn)行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。