單項選擇題化學氣相沉積的英文名稱的縮寫為（）。

A.LVD
B.PED
C.CVD
D.PVD


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1.多項選擇題（）專指薄膜形成的過程中，并不消耗晶片或底材的材質(zhì)。

A.薄膜成長
B.蒸發(fā)
C.薄膜沉積
D.濺射
E.以上都正確

2.單項選擇題下面哪一種薄膜工藝中底材會被消耗（）。

A.薄膜沉積
B.薄膜成長
C.蒸發(fā)
D.濺射

3.多項選擇題下列組合中哪一種基本上用于刻蝕前者的干刻蝕法大都可以用來刻蝕后者（）。

A.二氧化硅氮化硅
B.多晶硅硅化金屬
C.單晶硅多晶硅
D.鋁銅
E.鋁硅

4.多項選擇題以（）等兩層材料所組合而成的導電層便稱為Polycide。

A.單晶硅
B.多晶硅
C.硅化金屬
D.二氧化硅
E.氮化硅