多項(xiàng)選擇題下列組合中哪一種基本上用于刻蝕前者的干刻蝕法大都可以用來(lái)刻蝕后者（）。
A.二氧化硅氮化硅
B.多晶硅硅化金屬
C.單晶硅多晶硅
D.鋁銅
E.鋁硅
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1.多項(xiàng)選擇題以（）等兩層材料所組合而成的導(dǎo)電層便稱為Polycide。
A.單晶硅
B.多晶硅
C.硅化金屬
D.二氧化硅
E.氮化硅
2.單項(xiàng)選擇題晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對(duì)二氧化硅的高選擇性。超薄的（）使得在刻蝕多晶硅電極時(shí)對(duì)它的刻蝕要盡可能的小。
A.n型摻雜區(qū)
B.P型摻雜區(qū)
C.柵氧化層
D.場(chǎng)氧化層
3.單項(xiàng)選擇題多晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對(duì)（）的高選擇性。超薄的柵氧化層使得在刻蝕多晶硅電極時(shí)對(duì)柵氧化層的刻蝕要盡可能的小。
A.二氧化硅
B.氮化硅
C.單晶硅
D.多晶硅
4.單項(xiàng)選擇題請(qǐng)?jiān)谙铝羞x項(xiàng)中選出多晶硅化金屬的英文簡(jiǎn)稱：（）。
A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide
5.單項(xiàng)選擇題請(qǐng)?jiān)谙铝羞x項(xiàng)中選出硅化金屬的英文簡(jiǎn)稱：（）。
A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide
最新試題
以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
說(shuō)明功能檢測(cè)工裝的制作原理？
題型：?jiǎn)柎痤}
電子束蒸發(fā)中有一個(gè)特殊的部件是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
影響顯影工藝的因素有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下列可能造成離子源沾污的因素是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
試說(shuō)明ICT測(cè)試電阻器阻值的原理？為什么要加隔離點(diǎn)？
題型：?jiǎn)柎痤}
利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題