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多項(xiàng)選擇題

下列組合中哪一種基本上用于刻蝕前者的干刻蝕法大都可以用來刻蝕后者（）。

A.二氧化硅氮化硅
B.多晶硅硅化金屬
C.單晶硅多晶硅
D.鋁銅
E.鋁硅

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多項(xiàng)選擇題

以（）等兩層材料所組合而成的導(dǎo)電層便稱為Polycide。

A.單晶硅
B.多晶硅
C.硅化金屬
D.二氧化硅
E.氮化硅

單項(xiàng)選擇題

晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對二氧化硅的高選擇性。超薄的（）使得在刻蝕多晶硅電極時(shí)對它的刻蝕要盡可能的小。

A.n型摻雜區(qū)
B.P型摻雜區(qū)
C.柵氧化層
D.場氧化層