多項選擇題（）專指薄膜形成的過程中，并不消耗晶片或底材的材質。
A.薄膜成長
B.蒸發(fā)
C.薄膜沉積
D.濺射
E.以上都正確
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1.單項選擇題下面哪一種薄膜工藝中底材會被消耗（）。
A.薄膜沉積
B.薄膜成長
C.蒸發(fā)
D.濺射
2.多項選擇題下列組合中哪一種基本上用于刻蝕前者的干刻蝕法大都可以用來刻蝕后者（）。
A.二氧化硅氮化硅
B.多晶硅硅化金屬
C.單晶硅多晶硅
D.鋁銅
E.鋁硅
3.多項選擇題以（）等兩層材料所組合而成的導電層便稱為Polycide。
A.單晶硅
B.多晶硅
C.硅化金屬
D.二氧化硅
E.氮化硅
4.單項選擇題晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對二氧化硅的高選擇性。超薄的（）使得在刻蝕多晶硅電極時對它的刻蝕要盡可能的小。
A.n型摻雜區(qū)
B.P型摻雜區(qū)
C.柵氧化層
D.場氧化層
5.單項選擇題多晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對（）的高選擇性。超薄的柵氧化層使得在刻蝕多晶硅電極時對柵氧化層的刻蝕要盡可能的小。
A.二氧化硅
B.氮化硅
C.單晶硅
D.多晶硅
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通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達到終點的終點檢測方法是（）
題型：單項選擇題
通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應用于（）
題型：單項選擇題
刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）
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一般情況下，刻蝕完成后需要進行的操作是（）
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題型：多項選擇題
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