單項選擇題晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對二氧化硅的高選擇性。超薄的（）使得在刻蝕多晶硅電極時對它的刻蝕要盡可能的小。
A.n型摻雜區(qū)
B.P型摻雜區(qū)
C.柵氧化層
D.場氧化層
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1.單項選擇題多晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對（）的高選擇性。超薄的柵氧化層使得在刻蝕多晶硅電極時對柵氧化層的刻蝕要盡可能的小。
A.二氧化硅
B.氮化硅
C.單晶硅
D.多晶硅
2.單項選擇題請在下列選項中選出多晶硅化金屬的英文簡稱：（）。
A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide
3.單項選擇題請在下列選項中選出硅化金屬的英文簡稱：（）。
A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide
4.單項選擇題單晶硅刻蝕一般采用（）做掩蔽層，以氟化氫為主要的刻蝕劑，氧氣為側(cè)壁鈍化作用的媒介物。
A.氮化硅
B.二氧化硅
C.光刻膠
D.多晶硅
5.單項選擇題在IC芯片生長中淺溝槽隔離技術(shù)STI逐漸取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成為相鄰電子元件的絕緣體
A.柵氧化層
B.溝槽
C.勢壘
D.場氧化層
最新試題
下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟？（）
題型：多項選擇題
分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗時發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時，判斷其造成原因有（）
題型：多項選擇題
兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。
題型：單項選擇題
在離子注入完成后，檢驗到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問題有（）
題型：多項選擇題
當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時，一般使用（）。
題型：單項選擇題
通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于（）
題型：單項選擇題
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。
題型：單項選擇題
鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是（）
題型：多項選擇題
電子束蒸發(fā)中有一個特殊的部件是（）
題型：單項選擇題
離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）
題型：多項選擇題