單項選擇題電離氣體與普通氣體的不同之處在于：后者是由電中性的分子或原子組成的，前者則是（）和中性粒子組成的集合體。
A.離子
B.原子團(tuán)
C.電子
D.帶電粒子
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1.單項選擇題由于干法刻蝕中是同時對晶片上的光刻膠及裸露出來的薄膜進(jìn)行刻蝕的，所以其（）就比以化學(xué)反應(yīng)的方式進(jìn)行刻蝕的濕法還來得差。
A.刻蝕速率
B.選擇性
C.各向同性
D.各向異性
2.單項選擇題刻蝕是把進(jìn)行光刻前所沉積的薄膜厚度約在數(shù)千到數(shù)百A之間中沒有被（）覆蓋及保護(hù)的部分，以化學(xué)作用或是物理作用的方式加以去除，以完成轉(zhuǎn)移掩膜圖案到薄膜上面的目的。
A.二氧化硅
B.氮化硅
C.光刻膠
D.去離子水
3.多項選擇題在半導(dǎo)體制造中，熔斷絲可以應(yīng)用在（）。
A.MOS柵極
B.保護(hù)性元件
C.電容器極板
D.制造只讀存儲器PROM
E.晶圓背面電鍍
4.多項選擇題銅與鋁相比較，其性質(zhì)有（）。
A.銅的電阻率比鋁小
B.鋁的熔點較高
C.鋁的抗電遷移能力較弱
D.銅與硅的接觸電阻較小
E.銅可以在低溫下淀積
5.多項選擇題屬于鋁的性質(zhì)有（）。
A.電阻低
B.抗電遷移特性好
C.對硅氧化物有很好的黏合性
D.有很高的純度
E.易于光刻
最新試題
環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。
題型：單項選擇題
根據(jù)曝光模式，光制機(jī)的種類分為（）。
題型：多項選擇題
回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有（）
題型：多項選擇題
（）可以通過帶電粒子在盛場作用下做運動把粒子進(jìn)行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。
題型：單項選擇題
兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。
題型：單項選擇題
最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項選擇題
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
題型：單項選擇題
刻蝕氮化硅薄膜時，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時的溫度一般設(shè)置在（）
題型：單項選擇題
以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）
題型：多項選擇題
通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于（）
題型：單項選擇題