多項(xiàng)選擇題在半導(dǎo)體制造中，熔斷絲可以應(yīng)用在（）。

A.MOS柵極
B.保護(hù)性元件
C.電容器極板
D.制造只讀存儲(chǔ)器PROM
E.晶圓背面電鍍


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1.多項(xiàng)選擇題銅與鋁相比較，其性質(zhì)有（）。

A.銅的電阻率比鋁小
B.鋁的熔點(diǎn)較高
C.鋁的抗電遷移能力較弱
D.銅與硅的接觸電阻較小
E.銅可以在低溫下淀積

2.多項(xiàng)選擇題屬于鋁的性質(zhì)有（）。

A.電阻低
B.抗電遷移特性好
C.對(duì)硅氧化物有很好的黏合性
D.有很高的純度
E.易于光刻

3.單項(xiàng)選擇題下列材料中電阻率最低的是（）。

A.鋁
B.銅
C.多晶硅
D.金

4.多項(xiàng)選擇題在半導(dǎo)體工藝中，與氮化硅比較，二氧化硅更適合應(yīng)用在（）。

A.晶圓頂層的保護(hù)層
B.多層金屬的介質(zhì)層
C.多晶硅與金屬之間的絕緣層
D.摻雜阻擋層
E.晶圓片上器件之間的隔離

5.多項(xiàng)選擇題在半導(dǎo)體工藝中，如果淀積的薄膜不是連續(xù)的，存在一些空隙，則（）。

A.使薄膜的介電常數(shù)變大
B.可能引入雜質(zhì)
C.可能使薄膜層間短路
D.使薄膜介電常數(shù)變小
E.可能使薄膜厚度增加