單項(xiàng)選擇題由于干法刻蝕中是同時(shí)對(duì)晶片上的光刻膠及裸露出來(lái)的薄膜進(jìn)行刻蝕的，所以其（）就比以化學(xué)反應(yīng)的方式進(jìn)行刻蝕的濕法還來(lái)得差。
A.刻蝕速率
B.選擇性
C.各向同性
D.各向異性
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1.單項(xiàng)選擇題刻蝕是把進(jìn)行光刻前所沉積的薄膜厚度約在數(shù)千到數(shù)百A之間中沒(méi)有被（）覆蓋及保護(hù)的部分，以化學(xué)作用或是物理作用的方式加以去除，以完成轉(zhuǎn)移掩膜圖案到薄膜上面的目的。
A.二氧化硅
B.氮化硅
C.光刻膠
D.去離子水
2.多項(xiàng)選擇題在半導(dǎo)體制造中，熔斷絲可以應(yīng)用在（）。
A.MOS柵極
B.保護(hù)性元件
C.電容器極板
D.制造只讀存儲(chǔ)器PROM
E.晶圓背面電鍍
3.多項(xiàng)選擇題銅與鋁相比較，其性質(zhì)有（）。
A.銅的電阻率比鋁小
B.鋁的熔點(diǎn)較高
C.鋁的抗電遷移能力較弱
D.銅與硅的接觸電阻較小
E.銅可以在低溫下淀積
4.多項(xiàng)選擇題屬于鋁的性質(zhì)有（）。
A.電阻低
B.抗電遷移特性好
C.對(duì)硅氧化物有很好的黏合性
D.有很高的純度
E.易于光刻
5.單項(xiàng)選擇題下列材料中電阻率最低的是（）。
A.鋁
B.銅
C.多晶硅
D.金
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在離子注入完成后，檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問(wèn)題有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻膠對(duì)人部分可見(jiàn)光敏感，但對(duì)（）光不敏感。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
堅(jiān)膜烘焙在加熱平板上進(jìn)行，溫度控制在（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響顯影工藝的因素有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
說(shuō)明功能檢測(cè)工裝的制作原理？
題型：?jiǎn)柎痤}
以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
在顯影過(guò)程中，對(duì)于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題