多項選擇題在半導(dǎo)體工藝中，如果淀積的薄膜不是連續(xù)的，存在一些空隙，則（）。
A.使薄膜的介電常數(shù)變大
B.可能引入雜質(zhì)
C.可能使薄膜層間短路
D.使薄膜介電常數(shù)變小
E.可能使薄膜厚度增加
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1.多項選擇題在半導(dǎo)體工藝中，淀積的薄膜層應(yīng)滿足的參數(shù)包含有（）。
A.均勻性
B.表面平整度
C.自由應(yīng)力
D.純凈度
E.電容
2.單項選擇題為了防止抽氣設(shè)備對離子注入系統(tǒng)的油污染，可在靶室前增加一個（）或采用無油泵。
A.液氮冷阱
B.凈化阱
C.抽氣阱
D.無氣泵
3.單項選擇題離子源的基本結(jié)構(gòu)是由產(chǎn)生高密度等離子體的（）和引出部分組成。
A.電極
B.分析器
C.加速器
D.腔體
4.單項選擇題在磁分析器中常用（）分析磁鐵。
A.柱形
B.扇形
C.方形
D.圓形
5.單項選擇題為了解決中性束對注入均勻性的影響，可在系統(tǒng)中設(shè)有（），使離子束偏轉(zhuǎn)后再達到靶室。
A.磁分析器
B.正交電磁場分析器
C.靜電偏轉(zhuǎn)電極
D.束流分析儀
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