多項(xiàng)選擇題在半導(dǎo)體工藝中，與氮化硅比較，二氧化硅更適合應(yīng)用在（）。
A.晶圓頂層的保護(hù)層
B.多層金屬的介質(zhì)層
C.多晶硅與金屬之間的絕緣層
D.摻雜阻擋層
E.晶圓片上器件之間的隔離
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1.多項(xiàng)選擇題在半導(dǎo)體工藝中，如果淀積的薄膜不是連續(xù)的，存在一些空隙，則（）。
A.使薄膜的介電常數(shù)變大
B.可能引入雜質(zhì)
C.可能使薄膜層間短路
D.使薄膜介電常數(shù)變小
E.可能使薄膜厚度增加
2.多項(xiàng)選擇題在半導(dǎo)體工藝中，淀積的薄膜層應(yīng)滿足的參數(shù)包含有（）。
A.均勻性
B.表面平整度
C.自由應(yīng)力
D.純凈度
E.電容
3.單項(xiàng)選擇題為了防止抽氣設(shè)備對(duì)離子注入系統(tǒng)的油污染，可在靶室前增加一個(gè)（）或采用無(wú)油泵。
A.液氮冷阱
B.凈化阱
C.抽氣阱
D.無(wú)氣泵
4.單項(xiàng)選擇題離子源的基本結(jié)構(gòu)是由產(chǎn)生高密度等離子體的（）和引出部分組成。
A.電極
B.分析器
C.加速器
D.腔體
5.單項(xiàng)選擇題在磁分析器中常用（）分析磁鐵。
A.柱形
B.扇形
C.方形
D.圓形
最新試題
在顯影過(guò)程中，對(duì)于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
試說(shuō)明ICT測(cè)試電阻器阻值的原理？為什么要加隔離點(diǎn)？
題型：?jiǎn)柎痤}
離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn)，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
金屬薄膜制備中常見的濺射方式有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響顯影工藝的因素有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
在離子注入完成后，檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問(wèn)題有（）
題型：多項(xiàng)選擇題